ЛЭТИ в новом учебном году откроет программу подготовки специалистов по разработке электроники на основе карбида кремния (SiC) — перспективного материала для разработки нового типа устройств, над внедрением которого работают ученые по всему миру. Обучение будет проводиться в рамках магистерской программы «Силовая микроэлектроника» Передовой инженерной школы ЛЭТИ. «За годы был накоплен уникальный опыт, подготовлен квалифицированный кадровый состав, современная технологическая база, а главное - отработана уникальная производственная цепочка от синтеза материала до создания готовых устройств. На основе этого базиса мы сформулировали уникальный российский образовательный продукт, направленный на комплексную практикоориентированную подготовку специалистов в сфере силовой электроники», — указал заместитель заведующего кафедрой микро- и наноэлектроники по учебно-методической работе ЛЭТИ Андрей Корляков.
Новое направление должно закрыть потребность в узкопрофильных специалистах, необходимых для запуска и развития производства.
