⏺ Ученые РТУ МИРЭА разработали конструкцию полевого транзистора на основе алмаза
Устройство использует кристаллографически совершенный алмазный слой толщиной менее 1 микрона, созданный методом термохимической обработки. Технология позволяет устранить дефекты поверхности и существенно улучшить электрофизические характеристики транзистора.
«Транзистор, как ожидается, сможет продемонстрировать на 10-15% лучшую производительность по сравнению с существующими аналогами, — объяснил ведущий разработчик заведующий лабораторией „Алмазная СВЧ-электроника“ РТУ МИРЭА Андрей Алтухов. — Ключевое преимущество — это сочетание высокой термостойкости, радиационной устойчивости и энергоэффективности».
💬 Источник
@divannyi_it подписаться
