⏺ В ТГУ разработали диоды на оксиде галлия для силовой электроники и радиационно стойких сенсоров
Аспирант радиофизического факультета Томского государственного университета разработал диоды нового поколения на основе оксида галлия. Разработка ведется в центре «Перспективные технологии в микроэлектронике» (ПТМ) ТГУ.
В рамках проекта «Силовой диод 1 kV‑класса с барьером Шоттки на основе Ga₂O₃», поддержанного Фондом содействия инновациям, аспирант Никита Яковлев и его научный руководитель Алексей Алмаев создали диоды с пробивным напряжением более 1000 вольт. В 2025 году тестирование прошло в лаборатории металлооксидных полупроводников центра «ПТМ» ТГУ. Сейчас идет оптимизация производственного процесса.
По словам Яковлева, необходимо доработать технический маршрут отдельных операций, чтобы увеличить выход годных диодов с барьером Шоттки. Такие диоды можно применять в зарядных устройствах, мощных блоках питания, схемах управления электродвигателями и в другой силовой электронике.
💬 Участвуйте в новом розыгрыше 💬 Читайте нас в: | Telegram | VK | Сайт |
В этом посте были ссылки, но мы их удалили по правилам Сетки
