•Имею практический опыт в области конструктивно-технологического проектирования МОП-транзисторов и участия в ключевых этапах технологического процесса изготовления СБИС.
•Имею практический опыт в технологии производства полупроводниковых приборов и интегральных микросхем с топологическими нормами 2.4 мкм на пластинах диаметром 100 мм, включая тестовый контроль пластин.
•Реализовывал процессы для производства полупроводниковых приборов с нормами 1,2 мкм на пластинах 150 мм, включая контроль параметров.
•Успешно внедрял технологии FEOL/BEOL с нормами 90–180 нм на пластинах 200 мм, включая тестовый контроль.
•Опыт работы с процессами формирования медных токопроводящих линий для логических ИС (90 нм, пластины 300 мм).
•Работал с технологическим и контрольно-измерительным оборудованием для микроэлектроники.
•Проводил исследования на лабораторном оборудовании: полуавтоматических измерительных стендах, SEM Hitachi 5200C, спектральных эллипсометрах.
•Разработка топологии в Klayout
